部品型番 : | FDME910PZT |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 98696 pcs |
仕様書 | FDME910PZT.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24 mOhm @ 8A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 6-PowerUFDFN |
他の名前 | FDME910PZTCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 39 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2110pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 21nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta) |