部品型番 : | FDMD8900 |
---|---|
メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 31229 pcs |
仕様書 | FDMD8900.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-Power3.3x5 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4 mOhm @ 19A, 10V |
電力 - 最大 | 2.1W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 12-PowerWDFN |
他の名前 | FDMD8900TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 39 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2605pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A, 17A |