部品型番 : | EPC8010ENGR |
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メーカー/ブランド : | EPC |
説明 : | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 1834 pcs |
仕様書 | EPC8010ENGR.pdf |
電圧 - テスト | 55pF @ 50V |
電圧 - ブレークダウン | Die |
同上@ VGS(TH)(最大) | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
シリーズ | eGaN® |
RoHSステータス | Tray |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.7A (Ta) |
偏光 | - |
他の名前 | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | EPC8010ENGR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 0.48nC @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
静電容量比 | - |