部品型番 : |
EPC2107ENGRT |
メーカー/ブランド : |
EPC |
説明 : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
RoHS ステータス : |
鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり |
33224 pcs |
仕様書 |
EPC2107ENGRT.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
サプライヤデバイスパッケージ |
9-BGA (1.35x1.35) |
シリーズ |
eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
電力 - 最大 |
- |
パッケージング |
Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース |
9-VFBGA |
他の名前 |
917-EPC2107ENGRTR |
運転温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ |
Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) |
1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス |
Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FETタイプ |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET特長 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン |
100V |
詳細な説明 |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) |
1.7A, 500mA |