| 部品型番 : | EPC2012CENGR |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | EPC |
| 説明 : | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 30059 pcs |
| 仕様書 | EPC2012CENGR.pdf |
| 電圧 - テスト | 100pF @ 100V |
| 電圧 - ブレークダウン | Die Outline (4-Solder Bar) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| シリーズ | eGaN® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5A (Ta) |
| 偏光 | Die |
| 他の名前 | 917-EPC2012CENGRTR |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | EPC2012CENGR |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1nC @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200V |
| 静電容量比 | - |
EPC
