部品型番 : | EMH1T2R |
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メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
説明 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 485924 pcs |
仕様書 | 1.EMH1T2R.pdf2.EMH1T2R.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 22 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 22 kOhms |
電力 - 最大 | 150mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | EMH1T2R-ND EMH1T2RTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 56 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | *MH1 |