部品型番 : | DMG6601LVT-7 |
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メーカー/ブランド : | Diodes Incorporated |
説明 : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 394246 pcs |
仕様書 | DMG6601LVT-7.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
電力 - 最大 | 850mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 422pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.8A, 2.5A |
ベース部品番号 | DMG6601 |