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AS6C4008A-55BINTR

部品型番 : AS6C4008A-55BINTR
メーカー/ブランド : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 10382 pcs
仕様書 AS6C4008A-55BINTR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 55ns
電源電圧 - 2.7 V ~ 3.6 V
技術 SRAM - Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ 36-TFBGA (6x8)
シリーズ -
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 36-TFBGA
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 4Mb (512K x 8)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 8 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
アクセス時間 55ns
Alliance Memory, Inc. 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からAS6C4008A-55BINTRを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
数値がディスプレイを超えている場合は、引用符のリクエストを送信します。
受け入れ価格(USD):
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