部品型番 : | APTM10HM19FT3G |
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メーカー/ブランド : | Microsemi |
説明 : | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 686 pcs |
仕様書 | 1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21 mOhm @ 35A, 10V |
電力 - 最大 | 208W |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP3 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5100pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 200nC @ 10V |
FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A |