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APTGT35DA120D1G

部品型番 : APTGT35DA120D1G
メーカー/ブランド : Microsemi
説明 : IGBT 1200V 55A 205W D1
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4095 pcs
仕様書 APTGT35DA120D1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.1V @ 15V, 35A
サプライヤデバイスパッケージ D1
シリーズ -
電力 - 最大 205W
パッケージ/ケース D1
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
NTCサーミスタ No
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(量Cies)@ Vceは 2.5nF @ 25V
入力 Standard
IGBTタイプ Trench Field Stop
詳細な説明 IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
電流 - コレクタ遮断(最大) 5mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 55A
コンフィギュレーション Single
Microsemi 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からAPTGT35DA120D1Gを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
数値がディスプレイを超えている場合は、引用符のリクエストを送信します。
受け入れ価格(USD):
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