部品型番 : | 2SK3666-3-TB-E |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 301721 pcs |
仕様書 | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
電圧 - イド@カットオフ(VGSオフ) | 180mV @ 1µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-CP |
シリーズ | - |
抵抗 - RDS(ON) | 200 Ohms |
電力 - 最大 | 200mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | 869-1107-1 |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 4 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4pF @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
ドレイン電流(Id)の - マックス | 10mA |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS) | 1.2mA @ 10V |
ベース部品番号 | 2SK3666 |